C-3:先端プラズマ技術が拓くナノマテリアルズフロンティア C-3:Frontier of Nano-Materials Based on Advanced Plasma Technologies |
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| Entry No | Presentation | Date | Award | Presenter Name | Affiliation | Paper Title | |||
Dec. 18 16:10 - 18:00 北九州国際会議場 イベントホール Kitakyushu International Conference Center Event Hall |
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| 2014 | C3-P18-001 | Dec. 18 | 川崎 仁晴 Hiroharu KAWASAKI |
佐世保高専 National Institute of Technology, Sasebo College |
粉体ターゲットスパッタリング法による2次元分布を持つ薄膜作製 Two-dimensional Thin Film Preparation by Sputtering Deposition using Powder Targets |
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| 2201 | C3-P18-002 | Dec. 18 | 篠原 正典 Masanori SHINOHAR |
佐世保工業高等専門学校 National Institute of Technology, Sasebo College |
エーテルを原料分子に用いたアモルファス炭素膜のプラズマ気相堆積 Plasma enhanced chemical vapor deposition of amorphous carbon film with ether as a source molecule |
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| 2408 | C3-P18-003 | Dec. 18 | 杉山 雅浩 Masahiro SUGIYAMA |
静岡大学大学院総合科学技術研究科 Graduate School of Integrated Science and Technology, Shizuoka Univ. |
マイクロ波水素プラズマによるCVD合成MoS2薄膜の高速脱硫 Rapid Desulfurization by MW Hydrogen Plasma of CVD-grown MoS2 Thin Film |
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| 2540 | C3-P18-004 | Dec. 18 | *B | 矢部 宏明 Hiroaki YABE |
千葉工業大学工学部 Faculty of Engineering, Chiba Institute of Technology |
PECVD法により作製したSiO:CH薄膜の特性に対するO2ガス添加の影響 Influences of O2 Gas Mixture on Properties of SiO:CH Films Deposited by PECVD |
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| 2549 | C3-P18-005 | Dec. 18 | *M | 原 尚志 Hisayuki HARA |
九州大学システム情報科学府 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
MHDPCVD法で製膜したa-Si:H膜中のSiH2結合形成におけるクラスタ除去フィルタ及びガス流速の影響 Effects of cluster-eliminating filter and gas velocity on SiH2 bond formation in a-Si:H films deposited by MHDPCVD method |
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| 2555 | C3-P18-006 | Dec. 18 | *M | 石川 翔太 Shota ISHIKAWA |
名古屋大学 Nagoya University |
大気圧マイクロ波O2/CF4プラズマを用いた有機物除去処理 Organic-matter removal treatment using atmospheric pressure microwave O2/CF4 plasma |
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| 2669 | C3-P18-007 | Dec. 18 | *M | 田中 和真 Kazuma TANAKA |
九州大学 Kyushu University |
プラズマCVD法で製膜した水素化アモルファスシリコン薄膜のラマン強度比ITA/ITOへの製膜前駆体の影響 Effects of film deposition precursors on Raman intensity ratio ITA/ITO of a-Si:H thin films fabricated by plasma CVD method |
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| 2672 | C3-P18-008 | Dec. 18 | *D | 黄 成和 Sung hwa HWANG |
九州大学 Kyushu university |
マルチホロー放電プラズマCVD法で形成されたカーボンナノ粒子のサイズと構造の制御 Size and Structure Control of Carbon Nano-particles Synthesized by Multi-hollow Discharge Plasma CVD Method |
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| 2691 | C3-P18-009 | Dec. 18 | *M | 大友 洋 Hiroshi OHTOMO |
九州大学 Kyushu University |
Arプラズマ中の微粒子を用いたポテンシャル分布の評価 Evaluation of potential distribution using a fine particle in Ar plasma |
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| 2702 | C3-P18-010 | Dec. 18 | 白谷 正治 Masaharu Shiratani |
九州大学 Kyushu University |
Arプラズマ中に光捕捉した微粒子の位置揺らぎの空間分布 Spatial distribution of position fluctuation of optically trapped fine particle in Ar plasma |
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| 2782 | C3-P18-011 | Dec. 18 | *M | 三輪 侑生 Yuki MIWA |
名城大学 Meijo University |
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングによるSi含有DLC膜の成膜 Deposition of Si-doped DLC film by high power impulse magnetron sputtering |
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| 2830 | C3-P18-012 | Dec. 18 | 古閑 一憲 Kazunori KOGA |
九州大学 Kyushu University |
高圧マルチホロー放電プラズマCVDを用いた作製した炭素ナノ粒子サイズに対するガス流量の効果 Influence of Ar + CH4 Gas Flow Rate on Size of Carbon Nano-Particles Fabricated using High Pressure Multi-Hollow Discharge Plasma CVD Process |
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| 2908 | C3-P18-013 | Dec. 18 | 川添 泰輔 Taisuke KAWAZOE |
九州大学大学院工学系研究科 Interdisciplinary Graduate School of Engineering Science, Kyushu University |
プラズマによる農産物殺菌の最適なＣＴ値 Optimum ozone CT value for agricultural sterilization by plasma |
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| 2911 | C3-P18-014 | Dec. 18 | *B | 田野 裕貴 Hiroki TANO |
千葉工業大学 Chiba Institute of Technology |
斜入射堆積スパッタリング法により作製したWO3薄膜のエレクトロクロミック特性 Electrochromic Properties of WO3 Films Sputtered with Glancing-angle Deposition Scheme |
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| 2913 | C3-P18-015 | Dec. 18 | *M | ムハンマド アミヌル ヘルミ Muhammad AMINURUL HELMY |
岡山理科大学大学院 工学研究科 Graduate School of Engineering, Okayama University of Science |
陰極真空アーク法によるta-C:H膜の摩擦摩耗特性に及ぼす周波数変化によるガス存在の影響 Influence of Gas Presence under Frequency Change on the Friction Abrasion Characteristics of ta-C:H Film Deposited by Cathodic Vacuum Arc Deposition Method |
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| 2916 | C3-P18-016 | Dec. 18 | *M | 福江 紘幸 Hiroyuki FUKUE |
岡山理科大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Okayama University of Science |
HF-HiPIMS電源システムを用いたDLC成膜技術の開発 Development of DLC Deposition Technology using HF-HiPIMS Power Supply System |
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| 2928 | C3-P18-017 | Dec. 18 | 呉 準席 Jun-seok OH |
大阪市立大学 Osaka City University |
Spectroscopic Investigation of Pressure Gradient Sputtering System Spectroscopic Investigation of Pressure Gradient Sputtering System |
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| 2973 | C3-P18-018 | Dec. 18 | *M | 中村 将之 Masayuki NAKAMURA |
名城大学 Meijo University |
ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリングを用いたTiN膜の形成プロセスにおける気相診断 Gas phase diagnostics on TiN film formation process using high power impulse magnetron sputtering |
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| 3003 | C3-P18-019 | Dec. 18 | 竹中 弘祐 Kosuke TAKENAKA |
大阪大学接合科学研究所 Joining and Welding Research Institute, Osaka University |
プラズマ支援反応性スパッタリングで作製しポストデポジションプラズマ処理したIGZO TFTの正電流バイアス不安定性 Positive-current-bias Instability of Post-deposition Plasma-treated IGZO TFTs Prepared with Plasma-assisted Reactive Sputtering |
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| 3061 | C3-P18-020 | Dec. 18 | 山口 慶樹 Yoshiki YAMAGUCHI |
東北大学大学院工学研究科 Department of Electronic Engineering, Tohoku University |
ITO電極のプラズマ機能化による数層遷移金属ダイカルコゲナイド透明太陽電池の作製 Plasma functionalization of indium tin oxide for fabrication of transparent solar cell using few-layered transition metal dichalcogenide |
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| 3179 | C3-P18-021 | Dec. 18 | 大島 多美子 Tamiko OHSHIMA |
佐世保工業高等専門学校 National Institute of Technology, Sasebo College |
異なるスパッタリング条件の粉末を用いた混合粉末ターゲットによる成膜 Film deposition by mixed powder target using powders with different sputtering conditions |
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