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第28回日本MRS年次大会 プログラムリスト: Oral

A-1:先進機能性酸化物材料-作製プロセスおよび物性評価-

A-1:Processing and Characterization of Advanced Multi-Functional Oxides

Entry No Keynote/
Invited
Presentation Date Time to
start
Time to
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Award Presenter Name Affiliation Paper Title
Dec. 19
8:30 - 12:00
北九州国際会議場 32会議室 (H会場)
Kitakyushu International Conference Center Room 32
   はじめに Introductory Talk Dec. 19 08:30 08:35 岡 伸人(近畿大学) Nobuto OKA (Kindai Univ.)
Chair :
西川 博昭(近畿大学)
松井 裕章(東京大学)
Hiroaki NISHIKAWA (Kindai Univ.)
Hiroaki MATSUI (The Univ. of Tokyo)
2184   Invited   A1-I19-001 Dec. 19 08:35 09:00 植田 和茂
Kazushige UEDA
九州工業大学大学院工学研究院
Faculty of Engineering, Kyushu Institute of Technology
ペロブスカイト型酸化物中におけるLnイオンの発光、位置およびエネルギー準位
Luminescence, location and energy levels of Ln ions in perovskite-type oxides
2185     A1-O19-002 Dec. 19 09:00 09:15 佐藤 泰史
Yasushi SATO
岡山理科大学
Okayama University of Science
バンドギャップエンジニアリングによるPr3+賦活ペロブスカイト蛍光体の励起エネルギー制御
Control of excitation energy in Pr3+-activated perovskite phosphors by bandgap engineering
2051   Invited   A1-I19-003 Dec. 19 09:15 09:40 藤井 達生
Tatsuo FUJII
岡山大学工学部
Faculty of Engineering, Okayama University
スパッタ法によるFe3O4下地層上へのエピタキシャルYbFe2O4薄膜の作製
Epitaxial YbFe2O4 thin films on Fe3O4 buffer layers by reactive sputtering technique
2915     A1-O19-004 Dec. 19 09:40 09:55 今井 友哉
Yuya IMAI
兵庫県立大学
University of Hyogo
Fe2O3シード層を用いたMOCVD法によるBiFeO3薄膜の成長
Growth of BiFeO3 thin films by MOCVD using Fe2O3 seed layer
2328     A1-O19-005 Dec. 19 09:55 10:10 原田 雅史
Masafumi HARADA
奈良女子大学生活環境学部
Faculty of Human Life and Environment, Nara Women's University
マイクロ波で合成したスピネルフェライトナノ粒子の磁気特性
Magnetic properties of spinel ferrite nanoparticles by microwave-assisted synthesis
2286     A1-O19-006 Dec. 19 10:10 10:25 柳沢 修実
Osami YANAGISAWA
弓削商船高等専門学校商船学科
Maritime Technology Department, National Institute of Technology, Yuge College
磁場下における0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3コアシェルの電気的な振舞い
Electric behaviors in multiferroic 0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3 core shell under magnetic field
   休憩 Break Dec. 19 10:25 10:35
Chair :
岩田 展幸(日本大学)
尾沼 猛儀(工学院大学)
Nobuyuki IWATA (Nihon Univ.)
Takeyoshi ONUMA (Kogakuin Univ.)
2109   Invited   A1-I19-007 Dec. 19 10:35 11:00 柳田 剛
Takeshi Yanagida
九州大学 先導物質化学研究所
Kyusyu University
単結晶金属酸化物ナノワイヤの作製プロセスと物性評価
Single crystalline metal oxide nanowires, fabrication process and properties evaluation
2018     A1-O19-008 Dec. 19 11:00 11:15 松井 裕章
Hiroaki Matsui
東京大学大学院工学系研究科
Graduate School of Engineering, The University of Tokyo
応力センシングに向けた酸化物半導体の表面プラズモン励起の歪み場制御
Strain-field control of plasmon resonances for stress sensing based on oxide semiconductors
2346     A1-O19-009 Dec. 19 11:15 11:30 *M 井藤 聡詞
Satoshi ITO
金沢大学
Kanazawa University
水リフトオフ法による微細加工されたβ-Ga2O3薄膜の選択成長
Selective Growth of Micro-Patterned β-Ga2O3 thin films using water lift-off process
3170     A1-O19-010 Dec. 19 11:30 11:45 *M 新田 亮介
Ryousuke NITTA
東京工業大学 物質理工学院 材料系
Tokyo Institute of Technology School of Materials and Chemical Technology Department of Materials Science and Engineering
スピンスプレー法による高結晶性Cu₂O膜の高速堆積
High speed deposition of highly crystalline Cu₂O film by spin-spray method
2052     A1-O19-011 Dec. 19 11:45 12:00 *D Mansoureh KEIKHAEI Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology Fabrication of MgO thin films by electrochemical deposition with Cu datalyst
Dec. 19
14:15 - 17:50
北九州国際会議場 32会議室 (H会場)
Kitakyushu International Conference Center Room 32
Chair :
岡 伸人(近畿大学)
賈 軍軍 (青山学院大学)
Nobuto OKA (Kindai Univ.)
Junjun JIA (Aoyama Gakuin Univ.)
2151   Keynote   A1-K19-012 Dec. 19 14:15 14:55 岡島 敏浩
Toshihiro OKAJIMA
九州シンクロトロン光研究センター
Kyushu Synchrotron Light Research Center
SAGA-LSにおける金属酸化膜の研究
Application for metal oxide thin films at SAGA-LS
2188   Invited   A1-I19-013 Dec. 19 14:55 15:20 永村 直佳
Naoka NAGAMURA
物質・材料研究機構/JSTさきがけ
National Institete for Materials Science/JST PRESTO
放射光オペランド顕微分光による動作中デバイスの電子状態観測
Synchrotron X-ray operando spectral imaging to observe electronic states in operating transistors
2381     A1-O19-014 Dec. 19 15:20 15:35 *M 松崎 厚志
Atsushi MATSUZAKI
千葉大学大学院融合理工学府
Graduate School of Science and Engineering, Chiba University
hν依存型高感度紫外光電子分光法を用いて直接観察された酸化物薄膜のギャップ準位
Gap states of oxide thin films directly observed by using hν-dependent high-sensitivity UV photoemission spectroscopy
2239   Invited   A1-I19-015 Dec. 19 15:35 16:00 内山 裕士
Hiroshi UCHIYAMA
高輝度光科学研究センター
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
フォノン分散測定からみた熱特性の微視的起源
Microscopic origin of thermal properties from phonon dispersion measurements
   休憩 Break Dec. 19 16:00 16:15
Chair :
重里 有三(青山学院大学)
佐藤 泰史(岡山理科大学)
Yuzo Shigesato (Aoyama Gakuin Univ.)
Yasushi SATO (Okayama Univ. of Seience
2466   Invited   A1-I19-016 Dec. 19 16:15 16:40 東脇 正高
Masataka HIGASHIWAKI
情報通信研究機構
National Institute of Information and Communications Technology
縦型酸化ガリウムパワートランジスタの開発
Development of vertical gallium oxide power tTransistors
2528   Invited   A1-I19-017 Dec. 19 16:40 17:05 高瀬 浩一
Kouichi TAKASE
日本大学理工学部
College of Science and Technology, Nihon University
層状オキシプニクタイド(LaO)TPnの構造的特徴と物性の関係性
Relationship between structural characters and physical properties of the layered oxypnictides (LaO)TPn (T=transition elements, Pn=pnictogen elements)
2295     A1-O19-018 Dec. 19 17:05 17:20 尾沼 猛儀
Takeyoshi ONUMA
工学院大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻
Department of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin University
岩塩構造MgZnOにおける210-250 nm帯の高効率深紫外線バンド端発光
Efficient 210-250 nm deep UV near-band-edge emission from rocksalt-structured MgxZn1-xO films
2755     A1-O19-019 Dec. 19 17:20 17:35 内山 潔
Kiyoshi UCHIYAMA
国立高専機構 鶴岡工業高等専門学校 創造工学科
Depertment of Creative Engineering, NIT, Tsuruoka College
高誘電体ゲート絶縁膜を用いたIGZO薄膜トランジスタの低電圧動作
Low voltage operation of InGaZnO thin-film transistors using high-k gate insulators
2725     A1-O19-020 Dec. 19 17:35 17:50 *G 賈 軍軍
Junjun JIA
青山学院大学 理工学部
Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University
アモルファスIGZOトランジスタにおける欠陥構造と電子構造の関係性の解明
Revealing the relationship between defect and electronic structures in amorphous IGZO TFTs
Dec. 20
8:30 - 09:40
北九州国際会議場 32会議室 (H会場)
Kitakyushu International Conference Center Room 32
Chair :
有沢 俊一(物質・材料研究機構)
古林 寛(高知工科大学)
Shunichi ARISAWA (NIMS)
Yutaka FURUBAYASHI (Kochi Univ. of Tech.)
2130   Invited   A1-I20-001 Dec. 20 08:30 08:55 湯浅 雅賀
Masayoshi YUASA
近畿大学
Kindai University
金属空気電池用空気極の二元機能化と高性能化
Bi-functionalizaton and enhancement of electrochemical activity of air electrode for metal-air batteries
2006     A1-O20-002 Dec. 20 08:55 09:10 岡 伸人
Nobuto OKA
近畿大学
Kindai University
金属-空気二次電池用バナジン酸塩ガラス空気極触媒の開発
Development of air-electrode catalyst using vanadate glass for rechargeable metal-air battery
2809     A1-O20-003 Dec. 20 09:10 09:25 久保 貴哉
Takaya KUBO
東京大学先端科学技術研究センター
RCAST, The Universtiy of Tokyo
高赤外透過率を有する導電性酸化膜を用いたPbS量子ドット/ZnOナノワイヤ型太陽電池
High infrared-transparent conductive oxides for PbS quantum dot/ZnO nanowire solar cells
2044     A1-O20-004 Dec. 20 09:25 09:40 鯉田 崇
Takashi KOIDA
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター
Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
高移動度透明導電膜によるCIGS太陽電池ミニモジュールの高効率化実現
Effects of high-mobility transparent conducting oxide layers in Cu(In,Ga)Se2 minimodules with efficiencies up to 20.9%
Dec. 20
14:15 - 16:50
北九州国際会議場 32会議室 (H会場)
Kitakyushu International Conference Center Room 32
Chair :
山本 哲也(高知工科大学)
久保 貴哉(東京大学)
Tetsuya YAMAMOTO (Kochi Univ. of Tech.)
Takaya KUBO (The Univ. of Tokyo
2191   Invited   A1-I20-005 Dec. 20 14:15 14:40 板垣 奈穂
Naho ITAGAKI
九州大学大学院システム情報科学研究院
Graduate School of Information Science and Electrical Engineering
ZnO系半導体薄膜のスパッタエピタキシーとエキシトンデバイスへの応用
Sputter Epitaxy of ZnO Based Compounds for Excitonic Devices
2059   Invited   A1-I20-006 Dec. 20 14:40 15:05 *G 大島 孝仁
Takayoshi OSHIMA
佐賀大学理工学部
Faculty of Science and Engineering, Saga University
Overview of the studies on Ga2O3-based photodetectors
酸化ガリウムフォトディテクタの概要
3026     A1-O20-007 Dec. 20 15:05 15:20 *G 飯村 壮史
Soshi IIMURA
東京工業大学フロンティア材料研究所
Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology
透明両極性半導体のデザインコンセプト ~正方晶ZrOSを例にして~
Design concet of Transparent Bipolar Semiconductors
2022     A1-O20-008 Dec. 20 15:20 15:35 市村 正也
Masaya ICHIMURA
名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
エレクトロニクス応用のための酸化アルミニウムへの不純物ドーピング
Impurity Doping in Aluminum Oxide for Electronics Applications
2104     A1-O20-009 Dec. 20 15:35 15:50 仙名 保
Mamoru SENNA
慶應義塾大学理工学部
Faculty of Science and Technology, Keio University
SiO2からの固相酸素引き抜きによる酸素欠陥の導入とその制御
Controlled introduction of oxygen vacancies to SiO2 via solid-state oxygen abstraction
   休憩 Break Dec. 20 15:50 16:00
Chair :
鯉田 崇(産業技術総合研究所)
飯村 壮史(東京工業大学)
Takashi KOIDA (AIST)
Soshi IIMURA (Tokyo Institute of Tech.)
2410     A1-O20-010 Dec. 20 16:00 16:15 山本 哲也
Tetsuya YAMAMOTO
高知工科大学総合研究所
Research Institute, Kochi University of Technology
マグネトロンスパッタリング法により成膜された Al 添加酸化亜鉛透明導電膜におけるエロージョン領域の構造及び電気特性への効果
Effects of the erosion zone of magnetron sputtering targets on the spatial distribution of structural and electrical properties of highly transparent conductive Al-doped ZnO films
2619     A1-O20-011 Dec. 20 16:15 16:30 古林 寛
Yutaka FURUBAYASHI
高知工科大学マテリアルデザインセンター
Materials design center, Kochi University of Technology
反応性プラズマ蒸着法により成膜したSn添加In2O3極薄非晶質膜における電気的性質
Electrical properties of amorphous very thin Sn-doped In2O3 films grown by reactive plasma deposition
2718     A1-O20-012 Dec. 20 16:30 16:45 安部 功二
Koji ABE
名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
ゾルゲルディップコーティング法で作製した酸化亜鉛の特性
Structural Properties of ZnO Thin Films Grown by Sol-gel Dip-coating Process
   Closing Remarks Dec. 20 16:45 16:50 鯉田 崇(産業技術総合研究所) Takashi Koida (AIST)