A-1:先進機能性酸化物材料-作製プロセスおよび物性評価- A-1:Processing and Characterization of Advanced Multi-Functional Oxides |
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Entry No | Keynote/ Invited |
Presentation | Date | Time to start |
Time to finish |
Award | Presenter Name | Affiliation | Paper Title |
Dec. 19 8:30 - 12:00 北九州国際会議場 32会議室 (H会場) Kitakyushu International Conference Center Room 32 |
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はじめに Introductory Talk | Dec. 19 | 08:30 | 08:35 | 岡 伸人(近畿大学) Nobuto OKA (Kindai Univ.) | |||||
Chair : 西川 博昭(近畿大学) 松井 裕章(東京大学) Hiroaki NISHIKAWA (Kindai Univ.) Hiroaki MATSUI (The Univ. of Tokyo) |
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2184 | Invited | A1-I19-001 | Dec. 19 | 08:35 | 09:00 | 植田 和茂 Kazushige UEDA |
九州工業大学大学院工学研究院 Faculty of Engineering, Kyushu Institute of Technology |
ペロブスカイト型酸化物中におけるLnイオンの発光、位置およびエネルギー準位 Luminescence, location and energy levels of Ln ions in perovskite-type oxides |
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2185 | A1-O19-002 | Dec. 19 | 09:00 | 09:15 | 佐藤 泰史 Yasushi SATO |
岡山理科大学 Okayama University of Science |
バンドギャップエンジニアリングによるPr3+賦活ペロブスカイト蛍光体の励起エネルギー制御 Control of excitation energy in Pr3+-activated perovskite phosphors by bandgap engineering |
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2051 | Invited | A1-I19-003 | Dec. 19 | 09:15 | 09:40 | 藤井 達生 Tatsuo FUJII |
岡山大学工学部 Faculty of Engineering, Okayama University |
スパッタ法によるFe3O4下地層上へのエピタキシャルYbFe2O4薄膜の作製 Epitaxial YbFe2O4 thin films on Fe3O4 buffer layers by reactive sputtering technique |
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2915 | A1-O19-004 | Dec. 19 | 09:40 | 09:55 | 今井 友哉 Yuya IMAI |
兵庫県立大学 University of Hyogo |
Fe2O3シード層を用いたMOCVD法によるBiFeO3薄膜の成長 Growth of BiFeO3 thin films by MOCVD using Fe2O3 seed layer |
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2328 | A1-O19-005 | Dec. 19 | 09:55 | 10:10 | 原田 雅史 Masafumi HARADA |
奈良女子大学生活環境学部 Faculty of Human Life and Environment, Nara Women's University |
マイクロ波で合成したスピネルフェライトナノ粒子の磁気特性 Magnetic properties of spinel ferrite nanoparticles by microwave-assisted synthesis |
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2286 | A1-O19-006 | Dec. 19 | 10:10 | 10:25 | 柳沢 修実 Osami YANAGISAWA |
弓削商船高等専門学校商船学科 Maritime Technology Department, National Institute of Technology, Yuge College |
磁場下における0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3コアシェルの電気的な振舞い Electric behaviors in multiferroic 0.7BaTiO3-0.3Pr0.65Ca0.35MnO3 core shell under magnetic field |
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休憩 Break | Dec. 19 | 10:25 | 10:35 | ||||||
Chair : 岩田 展幸(日本大学) 尾沼 猛儀(工学院大学) Nobuyuki IWATA (Nihon Univ.) Takeyoshi ONUMA (Kogakuin Univ.) |
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2109 | Invited | A1-I19-007 | Dec. 19 | 10:35 | 11:00 | 柳田 剛 Takeshi Yanagida |
九州大学 先導物質化学研究所 Kyusyu University |
単結晶金属酸化物ナノワイヤの作製プロセスと物性評価 Single crystalline metal oxide nanowires, fabrication process and properties evaluation |
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2018 | A1-O19-008 | Dec. 19 | 11:00 | 11:15 | 松井 裕章 Hiroaki Matsui |
東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, The University of Tokyo |
応力センシングに向けた酸化物半導体の表面プラズモン励起の歪み場制御 Strain-field control of plasmon resonances for stress sensing based on oxide semiconductors |
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2346 | A1-O19-009 | Dec. 19 | 11:15 | 11:30 | *M | 井藤 聡詞 Satoshi ITO |
金沢大学 Kanazawa University |
水リフトオフ法による微細加工されたβ-Ga2O3薄膜の選択成長 Selective Growth of Micro-Patterned β-Ga2O3 thin films using water lift-off process |
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3170 | A1-O19-010 | Dec. 19 | 11:30 | 11:45 | *M | 新田 亮介 Ryousuke NITTA |
東京工業大学 物質理工学院 材料系 Tokyo Institute of Technology School of Materials and Chemical Technology Department of Materials Science and Engineering |
スピンスプレー法による高結晶性Cu₂O膜の高速堆積 High speed deposition of highly crystalline Cu₂O film by spin-spray method |
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2052 | A1-O19-011 | Dec. 19 | 11:45 | 12:00 | *D | Mansoureh KEIKHAEI | Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology | Fabrication of MgO thin films by electrochemical deposition with Cu datalyst | |
Dec. 19 14:15 - 17:50 北九州国際会議場 32会議室 (H会場) Kitakyushu International Conference Center Room 32 |
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Chair : 岡 伸人(近畿大学) 賈 軍軍 (青山学院大学) Nobuto OKA (Kindai Univ.) Junjun JIA (Aoyama Gakuin Univ.) |
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2151 | Keynote | A1-K19-012 | Dec. 19 | 14:15 | 14:55 | 岡島 敏浩 Toshihiro OKAJIMA |
九州シンクロトロン光研究センター Kyushu Synchrotron Light Research Center |
SAGA-LSにおける金属酸化膜の研究 Application for metal oxide thin films at SAGA-LS |
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2188 | Invited | A1-I19-013 | Dec. 19 | 14:55 | 15:20 | 永村 直佳 Naoka NAGAMURA |
物質・材料研究機構/JSTさきがけ National Institete for Materials Science/JST PRESTO |
放射光オペランド顕微分光による動作中デバイスの電子状態観測 Synchrotron X-ray operando spectral imaging to observe electronic states in operating transistors |
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2381 | A1-O19-014 | Dec. 19 | 15:20 | 15:35 | *M | 松崎 厚志 Atsushi MATSUZAKI |
千葉大学大学院融合理工学府 Graduate School of Science and Engineering, Chiba University |
hν依存型高感度紫外光電子分光法を用いて直接観察された酸化物薄膜のギャップ準位 Gap states of oxide thin films directly observed by using hν-dependent high-sensitivity UV photoemission spectroscopy |
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2239 | Invited | A1-I19-015 | Dec. 19 | 15:35 | 16:00 | 内山 裕士 Hiroshi UCHIYAMA |
高輝度光科学研究センター Japan Synchrotron Radiation Research Institute |
フォノン分散測定からみた熱特性の微視的起源 Microscopic origin of thermal properties from phonon dispersion measurements |
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休憩 Break | Dec. 19 | 16:00 | 16:15 | ||||||
Chair : 重里 有三(青山学院大学) 佐藤 泰史(岡山理科大学) Yuzo Shigesato (Aoyama Gakuin Univ.) Yasushi SATO (Okayama Univ. of Seience |
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2466 | Invited | A1-I19-016 | Dec. 19 | 16:15 | 16:40 | 東脇 正高 Masataka HIGASHIWAKI |
情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology |
縦型酸化ガリウムパワートランジスタの開発 Development of vertical gallium oxide power tTransistors |
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2528 | Invited | A1-I19-017 | Dec. 19 | 16:40 | 17:05 | 高瀬 浩一 Kouichi TAKASE |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
層状オキシプニクタイド(LaO)TPnの構造的特徴と物性の関係性 Relationship between structural characters and physical properties of the layered oxypnictides (LaO)TPn (T=transition elements, Pn=pnictogen elements) |
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2295 | A1-O19-018 | Dec. 19 | 17:05 | 17:20 | 尾沼 猛儀 Takeyoshi ONUMA |
工学院大学大学院工学研究科電気・電子工学専攻 Department of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin University |
岩塩構造MgZnOにおける210-250 nm帯の高効率深紫外線バンド端発光 Efficient 210-250 nm deep UV near-band-edge emission from rocksalt-structured MgxZn1-xO films |
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2755 | A1-O19-019 | Dec. 19 | 17:20 | 17:35 | 内山 潔 Kiyoshi UCHIYAMA |
国立高専機構 鶴岡工業高等専門学校 創造工学科 Depertment of Creative Engineering, NIT, Tsuruoka College |
高誘電体ゲート絶縁膜を用いたIGZO薄膜トランジスタの低電圧動作 Low voltage operation of InGaZnO thin-film transistors using high-k gate insulators |
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2725 | A1-O19-020 | Dec. 19 | 17:35 | 17:50 | *G | 賈 軍軍 Junjun JIA |
青山学院大学 理工学部 Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
アモルファスIGZOトランジスタにおける欠陥構造と電子構造の関係性の解明 Revealing the relationship between defect and electronic structures in amorphous IGZO TFTs |
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Dec. 20 8:30 - 09:40 北九州国際会議場 32会議室 (H会場) Kitakyushu International Conference Center Room 32 |
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Chair : 有沢 俊一(物質・材料研究機構) 古林 寛(高知工科大学) Shunichi ARISAWA (NIMS) Yutaka FURUBAYASHI (Kochi Univ. of Tech.) |
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2130 | Invited | A1-I20-001 | Dec. 20 | 08:30 | 08:55 | 湯浅 雅賀 Masayoshi YUASA |
近畿大学 Kindai University |
金属空気電池用空気極の二元機能化と高性能化 Bi-functionalizaton and enhancement of electrochemical activity of air electrode for metal-air batteries |
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2006 | A1-O20-002 | Dec. 20 | 08:55 | 09:10 | 岡 伸人 Nobuto OKA |
近畿大学 Kindai University |
金属-空気二次電池用バナジン酸塩ガラス空気極触媒の開発 Development of air-electrode catalyst using vanadate glass for rechargeable metal-air battery |
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2809 | A1-O20-003 | Dec. 20 | 09:10 | 09:25 | 久保 貴哉 Takaya KUBO |
東京大学先端科学技術研究センター RCAST, The Universtiy of Tokyo |
高赤外透過率を有する導電性酸化膜を用いたPbS量子ドット/ZnOナノワイヤ型太陽電池 High infrared-transparent conductive oxides for PbS quantum dot/ZnO nanowire solar cells |
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2044 | A1-O20-004 | Dec. 20 | 09:25 | 09:40 | 鯉田 崇 Takashi KOIDA |
産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター Research Center for Photovoltaics, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
高移動度透明導電膜によるCIGS太陽電池ミニモジュールの高効率化実現 Effects of high-mobility transparent conducting oxide layers in Cu(In,Ga)Se2 minimodules with efficiencies up to 20.9% |
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Dec. 20 14:15 - 16:50 北九州国際会議場 32会議室 (H会場) Kitakyushu International Conference Center Room 32 |
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Chair : 山本 哲也(高知工科大学) 久保 貴哉(東京大学) Tetsuya YAMAMOTO (Kochi Univ. of Tech.) Takaya KUBO (The Univ. of Tokyo |
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2191 | Invited | A1-I20-005 | Dec. 20 | 14:15 | 14:40 | 板垣 奈穂 Naho ITAGAKI |
九州大学大学院システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering |
ZnO系半導体薄膜のスパッタエピタキシーとエキシトンデバイスへの応用 Sputter Epitaxy of ZnO Based Compounds for Excitonic Devices |
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2059 | Invited | A1-I20-006 | Dec. 20 | 14:40 | 15:05 | *G | 大島 孝仁 Takayoshi OSHIMA |
佐賀大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Saga University |
Overview of the studies on Ga2O3-based photodetectors 酸化ガリウムフォトディテクタの概要 |
3026 | A1-O20-007 | Dec. 20 | 15:05 | 15:20 | *G | 飯村 壮史 Soshi IIMURA |
東京工業大学フロンティア材料研究所 Laboratory for Materials and Structures, Tokyo Institute of Technology |
透明両極性半導体のデザインコンセプト ~正方晶ZrOSを例にして~ Design concet of Transparent Bipolar Semiconductors |
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2022 | A1-O20-008 | Dec. 20 | 15:20 | 15:35 | 市村 正也 Masaya ICHIMURA |
名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
エレクトロニクス応用のための酸化アルミニウムへの不純物ドーピング Impurity Doping in Aluminum Oxide for Electronics Applications |
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2104 | A1-O20-009 | Dec. 20 | 15:35 | 15:50 | 仙名 保 Mamoru SENNA |
慶應義塾大学理工学部 Faculty of Science and Technology, Keio University |
SiO2からの固相酸素引き抜きによる酸素欠陥の導入とその制御 Controlled introduction of oxygen vacancies to SiO2 via solid-state oxygen abstraction |
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休憩 Break | Dec. 20 | 15:50 | 16:00 | ||||||
Chair : 鯉田 崇(産業技術総合研究所) 飯村 壮史(東京工業大学) Takashi KOIDA (AIST) Soshi IIMURA (Tokyo Institute of Tech.) |
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2410 | A1-O20-010 | Dec. 20 | 16:00 | 16:15 | 山本 哲也 Tetsuya YAMAMOTO |
高知工科大学総合研究所 Research Institute, Kochi University of Technology |
マグネトロンスパッタリング法により成膜された Al 添加酸化亜鉛透明導電膜におけるエロージョン領域の構造及び電気特性への効果 Effects of the erosion zone of magnetron sputtering targets on the spatial distribution of structural and electrical properties of highly transparent conductive Al-doped ZnO films |
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2619 | A1-O20-011 | Dec. 20 | 16:15 | 16:30 | 古林 寛 Yutaka FURUBAYASHI |
高知工科大学マテリアルデザインセンター Materials design center, Kochi University of Technology |
反応性プラズマ蒸着法により成膜したSn添加In2O3極薄非晶質膜における電気的性質 Electrical properties of amorphous very thin Sn-doped In2O3 films grown by reactive plasma deposition |
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2718 | A1-O20-012 | Dec. 20 | 16:30 | 16:45 | 安部 功二 Koji ABE |
名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
ゾルゲルディップコーティング法で作製した酸化亜鉛の特性 Structural Properties of ZnO Thin Films Grown by Sol-gel Dip-coating Process |
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Closing Remarks | Dec. 20 | 16:45 | 16:50 | 鯉田 崇(産業技術総合研究所) Takashi Koida (AIST) |