A-3 : 先進機能性酸化物マテリアル Advanced Functional Oxide Materials |
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Entry No | Presentation | Date | Award | Presenter Name | Affiliation | Paper Title | |||
Dec. 20 00:00 - 00:00 産業貿易センタービル Hall (1F) / INDUSTRY & TRADE CENTER , Hall (1F) |
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2438 | A3-P20-001 | Dec. 20 | 安井 寛治 Kanji YASUI |
長岡技術科学大学 Nagaoka University of Technology |
Monolayer controlled deposition of ZnO thin films by catalytic reaction-assisted chemical vapor deposition Monolayer controlled deposition of ZnO thin films by catalytic reaction-assisted chemical vapor deposition |
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2591 | A3-P20-002 | Dec. 20 | *M | 堤 修治 Shuji TSUTSUMI |
佐賀大学大学院工学系研究科 Graduate School of Science and Engineering, Saga Univerisity |
中間バンド型太陽電池応用のためのClドープZnTeOの成長 Synthesis of Cl-doped ZnTeO for Intermediate Band Solar Cells |
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2040 | A3-P20-003 | Dec. 20 | 寺迫 智昭 Tomoaki TERASAKO |
愛媛大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
原料交互供給を用いた大気圧CVD法によるSnO2およびGa2O3ナノワイヤーの気相-液相-固相成長 Vapor-Liquid-Solid Growth of SnO2 and Ga2O3 Nanowires by Altmospheric-pressure CVD Utiliing Alternate Source Supply |
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2041 | A3-P20-004 | Dec. 20 | 寺迫 智昭 Tomoaki TERASAKO |
愛媛大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Ehime University |
溶液成長法によるCuOおよびCu2Oの選択成長とZnOナノロッドとのヘテロ接合作製 Selective Growth of CuO and Cu2O Films and Fabrication of Their Heterojunctions with ZnO Nanorods by Chemical Bath Deposition |
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2063 | A3-P20-005 | Dec. 20 | *M | 原 智彦 Tomohiko HARA |
青山学院大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
機能性酸化窒化物材料ZnO-InN系(ZnInON)薄膜に関する研究 Study on ZnO-InN (ZnInON) films as the functional oxynitride materials |
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2399 | A3-P20-006 | Dec. 20 | Tetsuya YAMAMOTO | Research Inst, Kochi University of Technology | Control of oxygen vacancy and carrier transport of highly n-type doped ZnO films | ||||
2653 | A3-P20-007 | Dec. 20 | 山本 哲也 Tetsuya YAMAMOTO |
高知工科大学総合研究所 Research Inst, Kochi University of Technology |
低光学損失通信用プラズモニクス材料のためのガリウム添加酸化亜鉛導電膜 Low-optical loss conductive Ga-doped ZnO films for plasmonics at the telecommunication wavelength of 1.5 μm |
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2631 | A3-P20-008 | Dec. 20 | 野本 淳一 Junichi NOMOTO |
高知工科大総研 Research Inst., Kochi Univ. Tech. |
様々な Al 量添加 ZnO 透明導電多結晶薄膜の配向秩序及びキャリア輸送を改善するためのクリティカルレイヤー Critical layer to improve the orientation distribution and carrier transport of transparent conductive Al-doped ZnO polycrystalline films with various Al contents |
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2572 | A3-P20-009 | Dec. 20 | 髙橋 崇典 Takanori TAKAHASHI |
鶴岡工業高等専門学校 National Institute of Technology, Tsuruoka College |
ゲート絶縁膜にHigh-k SrZrO3を用いたInGaZnO薄膜トランジスタの作製 Fabrication of InGaZnO Thin-Film Transistors using High-k SrZrO3 as Gate Insulator |
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2798 | A3-P20-010 | Dec. 20 | 小林 信太郎 Shintaro KOBAYASHI |
株式会社リガク応用技術センター Application laboratories, Rigaku corp. |
X線回折を用いた成長初期段階のAlドープZnO薄膜の構造評価 Structure Analysis on the Initial Stage of Al-doped ZnO Polycrystalline Film Growth Using X-ray Diffractometer |
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2508 | A3-P20-011 | Dec. 20 | 白井 光雲 Koun SHIRAI |
大阪大学産業科学研究所 ISIR, Osaka University |
ペロブスカイトXTiO3における熱電特性へのひずみ効果 Effects of strains on the thermoelectric properties of crystals of type XTiO3 |
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2831 | A3-P20-012 | Dec. 20 | *M | 塩見 俊樹 Toshiki SHIOMI |
鳥取大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Tottori |
Pt/Nb:SrTiO3ショットキー接合型メモリのリテンション特性 Retention characteristics of Pt/Nb:SrTiO3 Schottky junction type memory |
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2064 | A3-P20-013 | Dec. 20 | *M | 西山 碩芳 Hiroyoshi NISHIYAMA |
青山学院大学理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
反応性スパッタ法を用いたニオブ、窒素ドーピングによるアナターゼTiO2薄膜の選択成長 Selective deposition of polycrystalline anatase TiO2 films by reactive sputtering with Nb or N dopings. |
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2111 | A3-P20-014 | Dec. 20 | *M | 山本 晴香 Haruka YAMAMOTO |
青山学院大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
成膜パラメータの調整あるいはSnドープを用いた反応性スパッタリングによるルチルTiO2薄膜の選択成長 Selective deposition of polycrystalline rutile TiO2 films by reactive sputtering with controlling deposition parameters or Sn-doping. |
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2511 | A3-P20-015 | Dec. 20 | Ying-jhai CHEN | MingDao University | Ag and N co-doped TiO2 beads synthesized using a microwave-assisted hydrothermal method | ||||
2827 | A3-P20-016 | Dec. 20 | *D | 舘野 康史 Yasushi TATENO |
フルウチ化学/金沢工業大学 Furuuchi Chemical Co./Kanazawa Institute of Technology |
ベルヌーイ法によるSrTiO3単結晶成長の最適化 Some Optimization Aspects of the SrTiO3 Single Crystal Growth by Verneuil Method |
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2154 | A3-P20-017 | Dec. 20 | *M | 牧 采佳 Sayaka MAKI |
名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
ECD法により作製されたFeOOH薄膜の硫黄アニールによるFe-S-O薄膜の作製 Fabrication of Fe-S-O thin films by sulfur annealing of electrochemically deposited FeOOH films |
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2032 | A3-P20-018 | Dec. 20 | Chun-chieh LIN | National Dong Hwa University | Al/Graphene Oxide/Al Structural Resistive Switching Memory with Different Oxygenated Levels | ||||
2035 | A3-P20-019 | Dec. 20 | Shuo-kuei LEE | National Dong Hwa University | Cu/Graphene Oxide/Al Flexible Resistive Switching Memory Device | ||||
2125 | A3-P20-020 | Dec. 20 | *M | 数金 拓巳 Takumi SUGANE |
青山学院大学大学院理工学研究科 Graduate school of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
ユニポーラパルスとインピーダンス制御法を用いた反応性スパッタによるn型及びp型SnOx薄膜の高速成膜 High rate deposition of n-type and p-type SnOx films deposited by reactive magnetron sputtering with unipolar pulsing and impedance control system. |
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2249 | A3-P20-021 | Dec. 20 | *M | 宮崎 裕介 Yusuke MIYAZAKI |
青山学院大学大学院 理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering Aoyama Gakuin University |
プラズマ発光制御を用いた反応性スパッタ法によるITO透明導電膜の成膜 Transparent conductive ITO films deposited by reactive sputtering with plasma emission feedback system |
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2346 | A3-P20-022 | Dec. 20 | 高田 直也 Naoya TAKADA |
名古屋工業大学 Nagoya Institute of technology |
水溶液からのAlOxの作製 Synthesis of AlOx from aqueous solutioin |
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2644 | A3-P20-023 | Dec. 20 | *G | 北見 尚久 Hisashi KITAMI |
住友重機械工業株式会社 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. |
反応性プラズマ蒸着法によるITO薄膜の成長および電気的特性を決定する飛来粒子の特徴 Characteristics of incident particle flux determining growth rates and electrical properties of indium tin oxide films deposited by ion-plating with dc arc discharge |
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2716 | A3-P20-024 | Dec. 20 | 高田 賢志 Kenshi TAKADA |
大阪府立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Osaka Prefecture |
(100)Si基板直上へのHfO2系薄膜の成長 Growth of HfO2-based thin films directly on (100)Si substrate |
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2740 | A3-P20-025 | Dec. 20 | *M | 田原 大祐 Daisuke TAHARA |
京都工芸繊維大学 電子システム工学専攻 Department of Electronics, Kyoto Institute of Technology |
ミストCVD法によるGaN(0001)テンプレート基板上に成長した六方晶ε-Ga2O3 Hexagonal phase-pure ε-Ga2O3 films grown on GaN(0001) templates by mist chemical vapor deposition |
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2754 | A3-P20-026 | Dec. 20 | 小寺 喬之 Takayuki KODERA |
鶴岡工業高等専門学校 National Institute of Technology, Tsuruoka College |
噴霧熱分解法による酸化物および金属粒子の調製および粉体特性 Preparation and Characterization of Oxide and Metal Particles by Spray Pyrolysis |
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Dec. 21 00:00 - 00:00 産業貿易センタービル Hall (1F) / INDUSTRY & TRADE CENTER , Hall (1F) |
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2789 | A3-P21-001 | Dec. 21 | 小山 智之 Tomoyuki KOYAMA |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
CaFeOx / LaFeO3人工超格子の磁気特性 Magnetic properties of CaFeOx / LaFeO3 superlattices |
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2816 | A3-P21-002 | Dec. 21 | *M | 橋本 浩佑 Kousuke HASHIMOTO |
日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
YAlO3 (001)基板上におけるCo/Pt/r-oriented Cr2O3/Ca1-xCexMnO3積層膜の電気的磁気的測定 Magnetic and Electric Properties of Co/Pt/r-Oriented Cr2O3/Ca1-xCexMnO3 Multilayer Grown on YAlO3 (001) Substrate |
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2682 | A3-P21-003 | Dec. 21 | *M | 隅田 貴士 Takashi SUMIDA |
日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
Co/Pt/r面配向Cr2O3積層膜における交換バイアス磁場の異常ホール効果測定 Exchange Bias Field and Anomalous Hall Effect of Co/Pt/ r-oriented Cr2O3 multilayer |
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2792 | A3-P21-004 | Dec. 21 | *B | 平戸 剛志 Tsuyoshi HIRATO |
日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
Co/Pt/r面配向 Cr2O3/Ca1-xCexMnO3/YAlO3(001)の作製 Preparation of Co/Pt/r-oriented Cr2O3/Ca1-xCexMnO3 multilayer grown on YAlO3(001) substrate |
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2810 | A3-P21-005 | Dec. 21 | *M | 福井 慎二郎 Shinjiro FUKUI |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
スパッタ法によるCr2O3/Fe2O3, (Cr1-xFex)2O3薄膜の作製 Fabrication of Cr2O3/Fe2O3 and (Cr1-xFex)2O3 Films by Sputtering Method |
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2819 | A3-P21-006 | Dec. 21 | 赤澤 孝徳 Takanori AKAZAWA |
日本大学理工学部 College of Science & Technology, Nihon University |
SrTiO3(001)及びLaAlO3(001)基板を用いたCaFeO3/LaFeO3の作製 Preparation of CaFeO3/LaFeO3 Hetero-interface on SrTiO3(001) and LaAlO3(001) Substrates |
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2820 | A3-P21-007 | Dec. 21 | *M | 松山 裕貴 Hirotaka MATSUYAMA |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
パルスレーザー堆積法によるBiFeO3、BiFe1-xMnxO3及び人工超格子の電気的磁気的特性 Magnetic and Electric Properties of BiFeO3 and BiFe1-xMnxO3 Films Related Superlattices Grown by Pulsed Laser Deposition method |
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2602 | A3-P21-008 | Dec. 21 | *B | 梶田 匠 Takumi KAJITA |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
NiFe2O4 Thin Films Pcarepared by MOD Method for Magneto-plasmonic Effect NiFe2O4 Thin Films Pcarepared by MOD Method for Magneto-plasmonic Effect |
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2773 | A3-P21-009 | Dec. 21 | 牧野 哲也 Tetsuya MAKINO |
日本大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Nihon Univ. |
急速昇温熱処理によるナノ構造上孤立FePt微粒子形成におけるシリカ粒径分散依存性 Silica Particle Diameter Deviation Dependency of Isolated FePt Grains on Nano Structure fabricated by Rapid Thermal Annealing |
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2734 | A3-P21-010 | Dec. 21 | *M | 王 春 Chun WANG |
日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
ペチーニ法で作製したBi過剰なBi1+xFeO3ターゲットを用いたBiFeO3の作製 Growth of BiFeO3 Films Using Bi Excess Bi1+xFeO3 Target Prepared by Pechini Mehod |
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2492 | A3-P21-011 | Dec. 21 | 永田 知子 Tomoko NAGATA |
日本大学理工学部 CST, Nihon University |
電子型強誘電体YbFe2O4薄膜の結晶構造と化学当量性 Crystal Structure and Stoichiometry of Electronic Ferroelectric, YbFe2O4 Film |
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2656 | A3-P21-012 | Dec. 21 | 佐藤 賢太 Kenta SATO |
東海大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tokai University |
ZnO/glass上へのVO2薄膜低温成長と転移特性評価 Low temperature growth of VO2 films on ZnO/glass and their transition properties |
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2812 | A3-P21-013 | Dec. 21 | 野見山 輝明 Teruaki NOMIYAMA |
鹿児島大学大学院 理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima Univ. |
Fabrication of a three-dimensional battery using a mesoporous titanium dioxide film 酸化チタン多孔膜を用いた3次元蓄電池の作製 |
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2167 | A3-P21-014 | Dec. 21 | *M | 齋藤 真衣 Mai SAITO |
青山学院大学大学院 理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Aoyama Gakuin University |
遷移領域におけるプラズマ発光制御法を用いた反応性スパッタ法による酸化ニオブ薄膜の成膜 Deposition of Niobium Oxide films by reactive sputtering with the plasma emission feedback system in the transition region |
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2377 | A3-P21-015 | Dec. 21 | *M | 高橋 圭佑 Keisuke TAKAHASHI |
慶應義塾大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
リチウムイオン電池負極の高容量化に向けた水熱合成法によるカーボンナノファイバへの酸化スズ修飾 Hydrothermal Synthesis of SnO2 on Carbon Nanofiber for High-Capacity Anode Material for Lithium-Ion Batteries |
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2598 | A3-P21-016 | Dec. 21 | *M | 川瀬 滉貴 Koki KAWASE |
慶應義塾大学大学院 Graduate School of Science and Technology, Keio University |
リチウムイオン電池負極への応用に向けた酸化鉄含有カーボンナノファイバーへの炭化温度とプレス工程の影響 Influence of carbonization temperature and press process on iron oxide/ carbon composite nanofibers for anode materials of lithium ion battery |
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2471 | A3-P21-017 | Dec. 21 | *M | 河合 伸哉 Shinya KAWAI |
金沢工業大学大学 Kanazawa Institute of Technology |
パワーエレクトロニクス応用を目指したMOCVD法によるBi系酸化 物超伝導体のc軸及び非c軸配向膜の作製 Preparation of c-Axis and Non-c-Axis Oriented Thin Films of Bi-based Oxide Superconductor by MOCVD Targeting Power Electronics Application |
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2179 | A3-P21-018 | Dec. 21 | 小松 啓志 Keiji KOMATSU |
長岡技術科学大学物質材料工学専攻 Dept. of Materials Science and Technology, Nagaoka Univeristy of Technology |
大気開放型CVD法を用いた単結晶MgO上での酸化ストロンチウム膜のヘテロエピタキシャル成長の試み Attempt to hetero-epitaxial growth of strontium oxide films on single crystalline magnesia substrate by atmospheric chemical vapor deposition |
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2517 | A3-P21-019 | Dec. 21 | Chia-jung TU | National Changhua University of Education | Characteristics of Manganese Dioxide Nanostructure Synthesized by Microwaveassisted Hydrothermal Method | ||||
2685 | A3-P21-020 | Dec. 21 | 熊谷 佳郎 Yoshiro KUMAGAI |
鶴岡工業高等専門学校 生産システム工学専攻 Department of Advanced Engineering, National Institute of Technology, Tsuruoka Collage |
多孔質LaNiO3薄膜のSrZr0.8Y0.2O3-δ上への作製とその高温湿潤雰囲気中における化学的安定性 Fabrication of Porous LaNiO3 Thin-film on SrZr0.8Y0.2O3-δ and Its Chemical Stability on High Temperature and Humidified Atmosphere |
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2428 | A3-P21-021 | Dec. 21 | 山口 雅仁 Masahito YAMAHUCHI |
鶴岡工業高等専門学校 National Institute of Technology, Tsuruoka College |
プロトン伝導性酸化物薄膜のイットリウムドープ量依存性評価 Evaluation of dependence on proton-conductive oxide thin films with doping amount of Yttrium |
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2505 | A3-P21-022 | Dec. 21 | 井上 貴明 Takaaki INOUE |
鶴岡工業高等専門学校 National Institute of Technology, Tsuruoka College |
Pdメッキした多孔質ステンレス基板とプロトン伝導性酸化物薄膜電解質を用いた中温作動型SOFCの作製 Fabrication of Intermediate-Temperature Solid Oxide Fuel Cells using Thin Film Electrolyte of Proton-Conductive Oxide deposited on a Pd-plated Porous Stainless-Steel |
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2260 | A3-P21-023 | Dec. 21 | *D | Jie CHEN | School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou | Synthesis and Luminescence Properties of Red-Emitting Pr3+-activated Y2Ti2O7 | |||
2818 | A3-P21-024 | Dec. 21 | 田口 幸広 Yukihiro TAGUCHI |
大阪府立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University |
Co 2p共鳴X線非弾性散乱を用いたLaCoO3のCo 3d状態の研究 Co 3d state of LaCoO3 studied by Co 2p resonant inelastic x-ray scattering |
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2466 | A3-P21-025 | Dec. 21 | *M | 功刀 千香 Chika KUNUGI |
山梨大学 University of Yamanashi |
酸化ニオブ前駆体粒子におけるマイクロ波加熱ソルボサーマル合成ニオブ酸ナトリウムナノキューブの形状依存 Dependence of Size and Shape of Sodium Niobate Nanocubes via Microwave-Assisted Solvothermal Synthesis on Niobium-Oxide Precursor Particle Size |