A-2 : 分極に由来する物性発現と新機能材料 Polarization related ferroic properties and new functional materials |
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Entry No | Presentation | Date | Award | Presenter Name | Affiliation | Paper Title | |||
Dec. 19 00:00 - 00:00 産業貿易センタービル Hall (1F) / INDUSTRY & TRADE CENTER , Hall (1F) |
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Chair : 中嶋 宇史 (東京理科大学)
Takashi Nakajima (Tokyo University of Science) |
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2051 | A2-P19-001 | Dec. 19 | 松尾 拓紀 Hiroki MATSUO |
東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, The University of Tokyo |
BiFeO3強誘電体薄膜におけるバルク・ドメイン壁光起電力効果の定量化 Quantification of the Bulk and Domain-Wall Photovoltaic Effects in Ferroelectric BiFeO3 Thin Films |
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2163 | A2-P19-002 | Dec. 19 | *M | 高山 幸太 Kota TAKAYAMA |
兵庫県立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Hyogo |
MnドーピングによるBiFeO3薄膜の異常光起電力効果の増強 Enhancement of Anomalous Photovoltaic Effect by Mn Doping to BiFeO3 Thin Films |
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2381 | A2-P19-003 | Dec. 19 | *M | 土森 祥平 Shohei TSUCHIMORI |
名古屋大学 未来材料・システム研究所 Institute of Materials and Systems for Sustainabilty、NAGOYA University |
化学溶液法により調製したZnO/BiFeO3積層薄膜の光電流特性増強 Enhancement of photocurrent properties of ZnO/BiFeO3 layered thin films prepared by chemical solution deposition |
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2010 | A2-P19-004 | Dec. 19 | *M | 並木 航 Wataru NAMIKI |
東京理科大学理学研究科応用物理学専攻 Department of Applied Physics, Tokyo University of Science |
Nd0.6Sr0.4FeO3-δ薄膜の結晶構造と電子特性 Crystal Structure and Electrical Properties of Nd0.6Sr0.4FeO3-δ Thin Film |
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2286 | A2-P19-005 | Dec. 19 | 犬塚 淳 Atsushi INUZUKA |
東京大学大学院工学系研究科 Guraduate School of Engineering, University of Tokyo |
マンガン置換ニオブ系強誘電体薄膜の光起電力特性評価 Photovoltaic Properties of Manganese-Doped Niobium-based Ferroelectric Films |
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2618 | A2-P19-006 | Dec. 19 | *D | 尾地 真典 Masanori OCHI |
東京理科大学 応用物理学科 Department of Applied Physics, Tokyo University of Science |
BaCe1-x(Y,Zr)xO3-d薄膜の構造と高イオン伝導性 Structure and high ion conductivity of BaCe1-x(Y,Zr)xO3-d thin film |
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2282 | A2-P19-007 | Dec. 19 | *M | 藤井 優宇 Yuu FUJII |
東京工業大学 鶴見・武田研究室 Tokyo institute of Technology University Tsurumi / Takeda Laboratory |
固体イオンキャパシタ用ガーネット型酸化物リチウムイオン伝導体の合成と特性評価 Fabrication and Characterization of Li-ion Conducting Garnet-Type Metal Oxide for Solid State Ionic Capacitor |
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2011 | A2-P19-008 | Dec. 19 | *M | 古市 想人 Shoto FURUICHI |
東京理科大学 Tokyo University of Science |
酸素欠陥を有するBPY薄膜の構造と電気特性 Structural and Electrical Properties of BaPr1-xYxO3-δ Thin Film with Oxygen Vacancies |
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2647 | A2-P19-009 | Dec. 19 | *B | 玉井 瑛 Akira TAMAI |
東京理科大学 Tokyo Uniersity of Science |
SrCe0.95Sm0.05O3薄膜の構造・電気特性 Structural and Electrical Properties of SrCe0.95Sm0.05O3 Thin Film |
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2531 | A2-P19-010 | Dec. 19 | 野浪 勇人 Hayato NONAMI |
大阪府立大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, University of Osaka Prefecture |
有機強誘電体P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いたCe添加Siのキャリア制御 Carrier control of Ce doped Si using organic ferroelectric, P(VDF-TrFE) as gate insulator |
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2375 | A2-P19-011 | Dec. 19 | *M | 朽名 和俊 Kazutoshi KUTSUNA |
東京大学大学院工学系研究科 University of Tokyo |
SrRuO3電極を用いたBaTiO3系薄膜キャパシタの光起電力特性 Photovoltaic properties of BaTiO3-based thin film capacitors with SrRuO3 electrodes |
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2639 | A2-P19-012 | Dec. 19 | *M | 海老澤 遼太郎 Ryotaro EBISAWA |
東京理科大学 Tokyo University of Science |
MOCVD法によって作製されたアナターゼ/ルチルTiO2薄膜における光触媒活性の結晶相および配向依存性 Crystal phase and orientation dependence of photocatalytic activities of anatase and rutile TiO2 thin films fabricated by MOCVD |
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2646 | A2-P19-013 | Dec. 19 | *B | 関根 正貴 Masaki SEKINE |
東京理科大学 Tokyo University of Science |
格子歪を持つTi0.9Fe0.1O2-d薄膜の構造・電気特性 Structural and Electrical Properties of Ti0.9Fe0.1O2-d Thin Film with Lattice Distortion |
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2229 | A2-P19-014 | Dec. 19 | *M | 瀬戸 翔太 Shota SETO |
兵庫県立大学大学院工学研究科 Graduate School of engineering, University of Hyogo |
パターン化SrTiO3基板によるBiFeO3薄膜への帯電ドメインウォールの導入 Artificial Induction of Charged Domain Walls into BiFeO3 Thin Film using Patterned SrTiO3 Substrate |
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2364 | A2-P19-015 | Dec. 19 | *M | 栗田 彰仁 Akihito KURITA |
東京理科大学 Tokyo University of Science |
ビスマス層状構造強誘電体(K0.5Bi0.5)Bi2Nb2O9セラミックスの電気的諸特性 Electrical Properties of Bismuth-Layer-Structure Ferroelectric (K0.5Bi0.5)Bi2Nb2O9 Ceramics |
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2385 | A2-P19-016 | Dec. 19 | *M | 籔内 直人 Naoto YABUUCHI |
名古屋大学未来材料・システム研究所 Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University |
固相法によって作製したMnドープNaNbO3-BaTiO3圧電セラミックスの電気的特性 Electrical properties of Mn-doped NaNbO3-BaTiO3 piezoelectric ceramics prepared by solid-state reaction |
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2613 | A2-P19-017 | Dec. 19 | *M | 則武 幸汰 Kota NORITAKE |
名古屋大学 未来材料・システム研究所 Institute of Materials and systems for Sustainability, Nagoya University |
Electrical properties of Mn-doped (Ba1-xCax)TiO3 piezoelectric ceramics Mnをドープした(Ba1-xCax)TiO3圧電セラミックスの電気的特性 |
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2648 | A2-P19-018 | Dec. 19 | *M | 畠 希 Nozomi HATA |
東京理科大学 Tokyo Uniersity of Science |
パルス電界を用いた強誘電体薄膜のリーク電流特性 Leakage current properties of ferroelectric thin films measured using pulsive electric field |
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2458 | A2-P19-019 | Dec. 19 | *M | サラ ナジュワ Sarah najwa ZAMALIK |
山梨大学 University of Yamanashi |
ドーピングによるBT-BMT-BF圧電セラミックスの微細構造制御 Microstructure Control for BT-BMT-BF Piezoelectric Ceramics by Doping |
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2424 | A2-P19-020 | Dec. 19 | *M | 松本 健 Ken MATSUMOTO |
山梨大学 University of Yamanashi |
ソルボサーマル固化法によるチタン酸バリウム/ビスマス系圧電ナノコンポジットセラミックスの電気特性 Electrical Properties of Barium Titanate/Bismuth-based Piezoelectric Nanocomposite Ceramics by Solvothermal Solidification Method |
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2212 | A2-P19-021 | Dec. 19 | *M | 高田 愛梨 Eri TAKADA |
兵庫県立大学大学院 University of Hyogo |
リンゴ酸錯体水溶液法を用いた(Na0.50K0.45Li0.05)NbO3(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.10Ti0.90)O3固溶体の圧電特性と局所構造解析 Piezoelectric properties and local structure analysis of (Na0.50K0.45Li0.05)NbO3(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.10Ti0.90)O3 solid solutions by malic acid complex solution method |
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2439 | A2-P19-022 | Dec. 19 | 抜水 一輝 Kazuki NUKUMIZU |
山梨大学大学院 医工農学総合教育部 工学専攻 応用化学コース University Of Yamanashi |
正方晶-六方晶2相共存粒子を用いた強磁場電気泳動法による<111>配向正方晶チタン酸バリウムセラミックスの圧電特性 Piezoelectric Properties of (111)-oriented Tetragonal BaTiO3 Ceramics Fabricated by an ElectroPhoretic Deposition in a high Magnetic Field with Tetragonal-Hexagonal Biphase Particles |
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2538 | A2-P19-023 | Dec. 19 | *M | 垣内 博行 Hiroyuki KAKIUCHI |
山梨大学 University of Yamanashi |
低温プロセスによる常誘電体/常誘電体複合セラミックスへの歪導入とその誘電特性 Introduction of Strains in Paraelectrics/Paraelectrics Composite Ceramics by Low-Temperature Process and Their Dielectric Properties |
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2253 | A2-P19-024 | Dec. 19 | *M | 秋本 恭平 Kyohei AKIMOTO |
東京工業大学 物質理工学院 材料系 Materials Science and Engineering, School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology |
Ca2Al2SiO7結晶の材料定数とSAW特性 Material Constants and Surface Acoustic Wave Property of Ca2Al2SiO7 Single Crystals |
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2666 | A2-P19-025 | Dec. 19 | 松浦 直人 Masato MATSUURA |
総合科学研究機構 Comprehensive Research Organization for Science and Society |
中性子小角散乱によるリラクサー強誘電体(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3におけるドメイン相関の研究 Neutron small angle scattering study of domain correlations in the relaxor (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 |
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2702 | A2-P19-026 | Dec. 19 | *G | 中嶋 宇史 Takashi NAKAJIMA |
東京理科大学/JSTさきがけ Tokyo University of Science//PRESTO, Japan Science and Technology Agency |
スピンコート法によって作製されたナイロン11薄膜の構造と強誘電特性 Structure and Ferroelectric Properties of Nylon-11 Thin Film Prepared by Spin-Coating |
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2600 | A2-P19-027 | Dec. 19 | 二川 康宏 Yasuhiro FUTAKAWA |
日本大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Technology Nihon University |
交換結合FePt孤立磁性微粒子上GdFeCo層の磁化動特性 Magnetization dynamics of exchange coupled GdFeCo thin layer / FePt isolated particle |