D-3 : 界面物性評価 D-3 : Interface Characterization |
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| Entry No | Keynote/ Invited |
Presentation | Date | Time to start |
Time to finish |
Award | Presenter Name | Affiliation | Paper Title |
Dec. 9 9:30 - 17:10 万国橋会議センター/Room A Bankokubashi Kaigi Center/ Room A |
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| Opening | Dec. 9 | 09:30 | 09:40 | シンポジウム提案者 物質・材料研究機構 山下良之 | |||||
Chair : 長田貴弘 (物質・材料研究機構） Takahiro NAGATA (NIMS) |
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| 2080 | Invited | D3-I9-001 | Dec. 9 | 09:40 | 10:10 | *G | 土屋 敬志 Takashi TSUCHIYA |
東京理科大学 Tokyo university of science |
光電子分光を用いたナノイオニクスデバイスにおける酸化還元挙動の観察 Observation of Redox Behavior in Nanoionics Devices Using X-ray Photoemission Spectroscopy |
| 2084 | D3-O9-002 | Dec. 9 | 10:10 | 10:30 | 山下 良之 Yoshiyuki YAMASHITA |
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 National Institute for Materials Science |
High-k内の電圧依存ポテンシャルのオペランド光電子分光による直接観測 Bias Dependent Potential of High-k thin films obtained from Operando Photoelectron Spectroscopy |
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| Break | Dec. 9 | 10:30 | 11:00 | ||||||
Chair : 山下良之 (物質・材料研究機構） Yoshiyuki YAMASHITA (NIMS) |
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| 2221 | Invited | D3-I9-003 | Dec. 9 | 11:00 | 11:40 | 長田 貴弘 Takahiro NAGATA |
物質・材料研究機構 National Institute for Materials Science |
硬X線光電子分光による高誘電体材料抵抗変化メモリ素子動作機構の解明 Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based ReRAM Structure under Bias Operation |
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| 2902 | D3-O9-004 | Dec. 9 | 11:40 | 12:00 | *G | 田中 博美 Hiromi TANAKA |
米子工業高等専門学校 National Institute of Technology, Yonago College |
Bi-2212高温超伝導ウィスカーへのMg添加効果 Mg Doping into Bi-2212 High Temperature Superconducting Whisker and its Characterization |
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Chair : 土屋 敬志(Takashi TSUCHIYA) 東京理科大学(Tokyo university of science) |
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| 2854 | Invited | D3-I9-005 | Dec. 9 | 13:00 | 13:40 | 吹留 博一 Hirokazu FUKIDOME |
東北大学 Tohoku University |
高性能グラフェントランジスタ設計の為のオペランドナノ分光 Operando nanospectroscopy to designate high-performance graphene transistors |
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| 2126 | D3-O9-006 | Dec. 9 | 13:40 | 14:00 | 山下 良之 Yoshiyuki YAMASHITA |
国立研究開発法人 物質・材料研究機構 National Institute for Materials Science |
オペランド光電子分光法による極薄酸化膜/Si界面の界面準位測定 Interface States at Ultrathin-oxide/Si Interface Obtained from Operando Photoelectron Spectroscopy |
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| 2303 | D3-O9-007 | Dec. 9 | 14:00 | 14:20 | *M | 鈴木 良尚 Yoshihisa SUZUKI |
明治大学大学院/国立研究開発法人物質・材料研究機構 Meiji University/National Institute for Materials Science |
TiO2/Ge 界面のGe拡散による影響 Interface Ge diffusion effect on epitaxial growth of rutile type TiO2 on (100) Ge substrate |
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| 2915 | Invited | D3-I9-008 | Dec. 9 | 14:20 | 14:50 | 三好 正悟 Shogo MIYOSHI |
東京大学大学院工学系研究科 Graduate School of Engineering, The University of Tokyo |
SOFC空気極材料(La,Sr)CoO3の表面化学状態に関する研究 Surface Chemical State of (La,Sr)CoO3-based Oxides for Cathode of Solid Oxide Fuel Cells |
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| Break | Dec. 9 | 14:50 | 15:10 | ||||||
Chair : 山下良之 (物質・材料研究機構） Yoshiyuki YAMASHITA (NIMS) |
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| 2922 | Invited | D3-I9-009 | Dec. 9 | 15:10 | 15:40 | *G | 山口 智広 Tomohiro YAMAGUCHI |
工学院大学 Kogakuin University |
RF-MBE法によるGaInNのエピタキシャル成長 Epitaxial growth of GaInN by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy |
| 2073 | D3-O9-010 | Dec. 9 | 15:40 | 16:00 | *G | 櫻井 庸明 Tsuneaki SAKURAI |
京都大学大学院工学研究科/大阪大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Kyoto University/Graduate School of Engineering, Osaka University |
マイクロ波を用いた絶縁体-半導体界面の電荷輸送特性評価法の開拓 Development of Evaluation Technique of Charge Carrier Transporting Property at Insulator-Semiconductor Interfaces |
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| 2861 | Invited | D3-I9-011 | Dec. 9 | 16:00 | 16:30 | 石田 敬雄 Takao ISHIDA |
産業技術総合研究所 AIST |
導電性高分子PEDOT:PSSの熱電特性とモジュール作製 Thermoelectric Property of Ordered PEDOT:PSS Films and its TE Module Fabrication |
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| 2588 | D3-O9-012 | Dec. 9 | 16:30 | 16:50 | *G | 宋 華平 Huaping SONG |
日本大学理工学部/高知工科大学総合研究所 College of Science and Technology, Nihon University/Research Institute, Kochi University of Technology |
Investigation on the Indium Codoping Effects in the Humidity Stability of Ga-doped ZnO Films Investigation on the Indium Codoping Effects in the Humidity Stability of Ga-doped ZnO Films |
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| 2609 | D3-O9-013 | Dec. 9 | 16:50 | 17:10 | *G | Dominic GERLACH | National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki/Renewable Energy, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Berlin | Metallization of the buried Si / SnO:F interface as revealed by hard x-rays | |